삼성전자 경영진은 화요일 고대역폭 메모리(HBM)가 내년 D램 제조업체들의 전체 웨이퍼 생산능력 중 약 30%를 차지할 것으로 예상된다고 밝혔다. 이는 현재 약 20% 수준에서 증가한 수치다. 삼성전자의 김태우 부사장은 HBM과 표준 D램이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, 이는 HBM 생산 확대가 표준 D램 공급을 제약할 수 있음을 의미한다고 설명했다.