삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM) 칩용 베이스 다이 생산을 위해 TSMC의 3나노미터 공정을 활용할 예정이라고 서울경제신문이 일요일 보도했다.

보도에 따르면, 이번 협력은 삼성전자가 HBM 제조 단계에서 대만의 파운드리(반도체 위탁생산) 업체와 손을 잡는 첫 사례가 될 전망이다.

업계 소식통을 인용한 해당 매체는 엔비디아가 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지에 NVHBM 베이스 다이 제작에는 TSMC 공정을, 코어 다이에는 6세대 D램 기술을 적용할 것을 요청했다고 전했다.

지난 8월 공개된 NVHBM은 엔비디아의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 베이스 다이에 통합한 구조로, 회사 측에 따르면 다수의 메모리 공급업체 전반에 걸친 구현 표준화를 목표로 하고 있다.

서울경제신문은 삼성전자가 내부 검토를 거쳐 엔비디아의 요구 조건을 수용했으나, 표준 HBM과 타 고객사용 맞춤형 제품에 대해서는 자체 생산 체제를 유지할 계획이라고 밝혔다.

아울러 해당 신문은 익명의 소식통을 인용해, 향후 수요가 TSMC의 생산 능력을 초과할 경우 삼성전자 자체 파운드리에서 NVHBM 베이스 다이를 생산할 수 있을지 여부도 함께 검토하고 있다고 덧붙였다.